برقراری ارتباط
جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 480-477 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Panahi T, Nozhat N. Design and Simulation of Broadband Plasmonic Switch Based on Vanadium Dioxide in Infrared Region. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :477-480
URL: http://opsi.ir/article-1-2095-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2095-fa.html
پناهی طاهره، نزهت نجمه. طراحی و شبیه‌سازی سوئیچ پلاسمونیک پهن‌باند مبتنی بر دیاکسید وانادیوم در ناحیه فروسرخ. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :477-480
طاهره پناهی* 
1، نجمه نزهت1
1، نجمه نزهت1
1- دانشگاه صنعتی شیراز
چکیده: (1512 مشاهده)
در این مقاله یک نانوسوئیچ پلاسمونیک مبتنی بر دیاکسید وانادیوم (VO2) در ناحیه فروسرخ طراحی و شبیه‌سازی شده است. سوئیچینگ نوری در این نانوساختار ناشی از تغییر فاز لایه VO2 از فلز به عایق با تغییر دما است. انتقال فاز لایه VO2 منجر به تغییر در طیف جذب نانوساختار میشود. با انتخاب مقادیر nm 340 و nm 20، به‌ترتیب، برای ضخامت لایه‌های SiO2 و VO2 جذب بالای 99% در فاز عایقی و نزدیک صفر در فاز فلزی حاصل شده است. در نتیجه، نسبت خاموشی بهدست آمده برای سوئیچ پیشنهادی برابر dB 8/11 است. نتایج بهدست آمده در این پژوهش، قابلیت بالای استفاده از اکسیدهای وانادیوم بهعنوان ماده مناسب برای استفاده در ادوات پلاسمونیک مانند مدولاتورها و حسگرها در فرکانس‌های نوری را نشان میدهد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
