جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC سال26 صفحات 477-480 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Panahi T, Nozhat N. Design and Simulation of Broadband Plasmonic Switch Based on Vanadium Dioxide in Infrared Region. ICOP & ICPET _ INPC. 2020; 26 :477-480
URL: http://opsi.ir/article-1-2095-fa.html
پناهی طاهره، نزهت نجمه. طراحی و شبیه‌سازی سوئیچ پلاسمونیک پهن‌باند مبتنی بر دی‌اکسید وانادیوم در ناحیه فروسرخ. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :477-480

URL: http://opsi.ir/article-1-2095-fa.html


1- دانشگاه صنعتی شیراز
چکیده:   (395 مشاهده)
در این مقاله یک نانوسوئیچ پلاسمونیک مبتنی بر دی­اکسید وانادیوم (VO2) در ناحیه فروسرخ طراحی و شبیه‌سازی شده است. سوئیچینگ نوری در این نانوساختار ناشی از تغییر فاز لایه VO2 از فلز به عایق با تغییر دما است. انتقال فاز لایه VO2 منجر به تغییر در طیف جذب نانوساختار می­شود. با انتخاب مقادیر  nm 340 و nm 20، به‌ترتیب، برای ضخامت لایه‌های SiO2 و VO2 جذب بالای 99% در فاز عایقی و نزدیک صفر در فاز فلزی حاصل شده است. در نتیجه، نسبت خاموشی به‌دست آمده برای سوئیچ پیشنهادی برابر dB 8/11 است. نتایج به­دست آمده در این پژوهش، قابلیت بالای استفاده از اکسیدهای وانادیوم به­عنوان ماده مناسب برای استفاده در ادوات پلاسمونیک مانند مدولاتورها و حسگرها در فرکانس‌های نوری را نشان می­دهد.
متن کامل [PDF 1115 kb]   (50 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb