اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 308 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22681533 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 9112 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 628-625 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Torabi Goodarzi M, Eshghi H. A study on electrical and photo-conductance properties of n-ZnO/p-CuO heterojunction. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :625-628
URL: http://opsi.ir/article-1-280-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-280-fa.html
ترابی گودرزی مهدی، عشقی حسین. مطالعه خواص الکتریکی و فوتو رسانایی در پیوندگاه ناهمگون n-ZnO/p-CuO. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :625-628
1- دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده: (5995 مشاهده)
چکیده – پیوندگاه ناهمگون CuO/ZnO:Al بر روی زیر لایه FTO با روش افشانه تجزیه حرارتی تهیه گردید. نمونه تهیه شده توسط طیف های XRD، و UV-Vis. و همچنین مشخصه یابی I-V در شرایط تاریکی و تحت تابش استاندارد مورد مطالعه قرار گرفت. دریافتیم لایه های به کار گرفته شده دارای ساختار بسبلوری بوده و از گاف نواری اپتیکی eV 25/3 برای لایه ZnO و eV 63/1 برای لایه CuO برخوردار است. بررسی خواص الکتریکی نمونه حاکی از رفتار یکسوکنندگی است. بررسی واکنش قطعه به نورتابی نشان دهنده حساسیت بالاتر آن در شرایط بایاس وارون در مقایسه با بایاس مستقیم می باشد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
