حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 628-625 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Torabi Goodarzi M, Eshghi H. A study on electrical and photo-conductance properties of n-ZnO/p-CuO heterojunction. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :625-628
URL: http://opsi.ir/article-1-280-fa.html
ترابی گودرزی مهدی، عشقی حسین. مطالعه خواص الکتریکی و فوتو رسانایی در پیوندگاه ناهمگون n-ZnO/p-CuO. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :625-628

URL: http://opsi.ir/article-1-280-fa.html


1- دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده:   (5566 مشاهده)
چکیده – پیوندگاه ناهمگون CuO/ZnO:Al بر روی زیر لایه FTO با روش افشانه تجزیه حرارتی تهیه گردید. نمونه تهیه شده توسط طیف های XRD، و UV-Vis. و همچنین مشخصه یابی I-V در شرایط تاریکی و تحت تابش استاندارد مورد مطالعه قرار گرفت. دریافتیم لایه های به کار گرفته شده دارای ساختار بسبلوری بوده و از گاف نواری اپتیکی eV 25/3 برای لایه ZnO و eV 63/1 برای لایه CuO برخوردار است. بررسی خواص الکتریکی نمونه حاکی از رفتار یکسوکنندگی است. بررسی واکنش قطعه به نورتابی نشان دهنده حساسیت بالاتر آن در شرایط بایاس وارون در مقایسه با بایاس مستقیم می باشد.
متن کامل [PDF 545 kb]   (1103 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb