[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 625-628 برگشت به فهرست نسخه ها
مطالعه خواص الکتریکی و فوتو رسانایی در پیوندگاه ناهمگون n-ZnO/p-CuO
آقا مهدی ترابی گودرزی1، دکتر حسین عشقی* 1
1- دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده:   (3709 مشاهده)
چکیده – پیوندگاه ناهمگون CuO/ZnO:Al بر روی زیر لایه FTO با روش افشانه تجزیه حرارتی تهیه گردید. نمونه تهیه شده توسط طیف های XRD، و UV-Vis. و همچنین مشخصه یابی I-V در شرایط تاریکی و تحت تابش استاندارد مورد مطالعه قرار گرفت. دریافتیم لایه های به کار گرفته شده دارای ساختار بسبلوری بوده و از گاف نواری اپتیکی eV 25/3 برای لایه ZnO و eV 63/1 برای لایه CuO برخوردار است. بررسی خواص الکتریکی نمونه حاکی از رفتار یکسوکنندگی است. بررسی واکنش قطعه به نورتابی نشان دهنده حساسیت بالاتر آن در شرایط بایاس وارون در مقایسه با بایاس مستقیم می باشد.
واژه‌های کلیدی: پیوندگاه ناهمگون CuO/ZnO:Al، افشانه تجزیه حرارتی، یکسوسازی، فوتو-جریان.
متن کامل [PDF 545 kb]   (708 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Torabi Goodarzi M, Eshghi H. A study on electrical and photo-conductance properties of n-ZnO/p-CuO heterojunction. ICOP & ICPET. 2014; 20 :625-628
URL: http://opsi.ir/article-1-280-fa.html

ترابی گودرزی مهدی، عشقی حسین. مطالعه خواص الکتریکی و فوتو رسانایی در پیوندگاه ناهمگون n-ZnO/p-CuO. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :625-628

URL: http://opsi.ir/article-1-280-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781