برقراری ارتباط
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 1128-1125 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Darman P, Darbari S. Synthesis of 2D Perovskite and Using Dip-coating Method Suitable for Fabrication of Optoelectronic Devices . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :1125-1128
URL: http://opsi.ir/article-1-1854-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1854-fa.html
درمان پارسا، درباری سارا. سنتز پروسکایت دو بعدی و استفاده از لایه نشانی غوطهوری مناسب برای ساخت افزارههای الکترونیک نوری. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1125-1128
پارسا درمان* 
1، سارا درباری1
1، سارا درباری1
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده: (1811 مشاهده)
در این پژوهش سنتز پروسکایت دو بعدی رادلسدن پاپر که علاوه بر برخورداری از مزایای شناخته شده پروسکایت سهبعدی از جمله جذب نوری بالا و مشخصات انتقال حامل خوب عیب بزرگ ناپایداری را به طور قابل توجهی برطرف کرده است، گزارش می شود.در این مقاله از مولکولهای بزرگ و پایدار و مقاوم به حرارت و رطوبت بوتیل آمین استفاده شد تا یک لایه از پروسکایت سرب تترایدید را احاطه کنند و مانع از نفوذ حرارت و رطوبت به لایهی پروسکایت شده و پایداری را افزایش میدهند.وجود این مولکولهای حائل باعث افزایش ثابت شبکه نسبت به حالت سه بعدی میگردد و محدود سازی کوانتومی در دو بعد باعث افزایش گاف انرژی می شود. این ماده به روش غوطهوری لایه نشانی شد و با انجام آزمایشهای طیف جذب نوری و نورتابناکی گاف انرژی آن 5/2 الکترون ولت و بیشترین مقدار نورتابناکی 21/2 الکترون ولت اندازه گیری شد.
واژه‌های کلیدی: افزاره های الکترونیک نوری، پروسکایت دو بعدی، پایداری، رادلسدن پاپر، لایه نشانی غوطهوری
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
