حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 1032-1029 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rastgoo S, Parsaei F. Effect of the Magnetic Field on the Spin States of Electrons in Silicene. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :1029-1032
URL: http://opsi.ir/article-1-1777-fa.html
راستگو سارا، پارسایی فواد. اثر میدان مغناطیسی بر رفتار حالتهای اسپینی و وابستگی آن به تراز انرژی در سیلیسن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1029-1032

URL: http://opsi.ir/article-1-1777-fa.html


1- دانشگاه صنعتی سیرجان
چکیده:   (1597 مشاهده)
در این مقاله رفتار زمانی قطبش اسپین الکترون  در سیلیسن بررسی می­شود.  میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی عمود بر ورقه سیلیسن در نظر گرفته می­شود. عملگر تحول زمانی را نوشته و با در نظر گرفتن یک حالت اولیه، حالت تحول یافته را به دست می­آوریم. سپس به کمک تعریف قطبش اسپینی، رفتار زمانی مؤلفه‌های اسپین الکترون  را به دست می­آ­وریم. طبق نتایج ما ، رفتار زمانی قطبش اسپینی حاکی از یک رفتار نوسانی است که  در برخی شرایط به‌صورت رمبش و احیا نمایان می‌شود. با افزایش میدان مغناطیسی، دوره تناوب نمودارها تغییر می‌کند. نشان می‌دهیم تراز انرژی و میدان مغناطیسی تأثیر موازی بر قطبش اسپینی دارند.
متن کامل [PDF 895 kb]   (353 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb