[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال25 صفحات 1029-1032 برگشت به فهرست نسخه ها
اثر میدان مغناطیسی بر رفتار حالتهای اسپینی و وابستگی آن به تراز انرژی در سیلیسن
سارا راستگو*1، فواد پارسایی1
1- دانشگاه صنعتی سیرجان
چکیده:   (189 مشاهده)
در این مقاله رفتار زمانی قطبش اسپین الکترون  در سیلیسن بررسی می­شود.  میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی عمود بر ورقه سیلیسن در نظر گرفته می­شود. عملگر تحول زمانی را نوشته و با در نظر گرفتن یک حالت اولیه، حالت تحول یافته را به دست می­آوریم. سپس به کمک تعریف قطبش اسپینی، رفتار زمانی مؤلفه‌های اسپین الکترون  را به دست می­آ­وریم. طبق نتایج ما ، رفتار زمانی قطبش اسپینی حاکی از یک رفتار نوسانی است که  در برخی شرایط به‌صورت رمبش و احیا نمایان می‌شود. با افزایش میدان مغناطیسی، دوره تناوب نمودارها تغییر می‌کند. نشان می‌دهیم تراز انرژی و میدان مغناطیسی تأثیر موازی بر قطبش اسپینی دارند.
واژه‌های کلیدی: سیلیسن، قطبش اسپینی، میدان مغناطیسی
متن کامل [PDF 895 kb]   (48 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rastgoo S, Parsaei F. Effect of the Magnetic Field on the Spin States of Electrons in Silicene. ICOP & ICPET. 2019; 25 :1029-1032
URL: http://opsi.ir/article-1-1777-fa.html

راستگو سارا، پارسایی فواد. اثر میدان مغناطیسی بر رفتار حالتهای اسپینی و وابستگی آن به تراز انرژی در سیلیسن. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1029-1032

URL: http://opsi.ir/article-1-1777-fa.html



جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.06 seconds with 31 queries by YEKTAWEB 3991