در این مقاله، مدلی برای مشخصه ­یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته ­شده در فناوری 180 نانومتری سیماس ارائه شده است. این مدلسازی با استفاده از بار حالت ­های میانی و تله ­های اکسید صورت گرفته است. برای صحت­ سنجی مدل از دو نوع حسگر تصویربرداری حساس به تشعشع ساخته ­شده در این فن­ آوری کمک گرفته شده است. نتایج شبیه­ سازی مدل نشانمی­ دهد میانگین خطاهای مقدار جریان تاریک ساختارها در نتیجه شبیه­ سازی نسبت به نتایج آزمایش های تجربی 3 درصد می ­باشد.مدل ارائه شده قابلیت پیش ­بینی اثر دوز یونیزان کلی تشعشعات در حسگرهای تصویربرداری ساخته­ شده در فن­ آوری سیماس 180 نانومتری را دارا می­ باشد.