برقراری ارتباط
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
URL: http://opsi.ir/article-1-1332-fa.html
در این مقاله، مدلی برای مشخصه یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته شده در فناوری 180 نانومتری سیماس ارائه شده است. این مدلسازی با استفاده از بار حالت های میانی و تله های اکسید صورت گرفته است. برای صحت سنجی مدل از دو نوع حسگر تصویربرداری حساس به تشعشع ساخته شده در این فن آوری کمک گرفته شده است. نتایج شبیه سازی مدل نشانمی دهد میانگین خطاهای مقدار جریان تاریک ساختارها در نتیجه شبیه سازی نسبت به نتایج آزمایش های تجربی 3 درصد می باشد.مدل ارائه شده قابلیت پیش بینی اثر دوز یونیزان کلی تشعشعات در حسگرهای تصویربرداری ساخته شده در فن آوری سیماس 180 نانومتری را دارا می باشد.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |