حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 428-425 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Hassas Irani K, Pil-Ali A, Karami M A. Radiation Effect Modeling in 180nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) Image Sensors. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2017; 23 :425-428
URL: http://opsi.ir/article-1-1332-fa.html
حساس ایرانی سید کیارش، پیل علی عبدالله، کرمی محمد عظیم. مشخصه یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته شده در فناوری 180 نانومتری سیماس. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1395; 23 () :425-428

URL: http://opsi.ir/article-1-1332-fa.html


1- دانشگاه علم و صنعت
چکیده:   (2817 مشاهده)

در این مقاله، مدلی برای مشخصه ­یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته ­شده در فناوری 180 نانومتری سیماس ارائه شده است. این مدلسازی با استفاده از بار حالت ­های میانی و تله ­های اکسید صورت گرفته است. برای صحت­ سنجی مدل از دو نوع حسگر تصویربرداری حساس به تشعشع ساخته ­شده در این فن­ آوری کمک گرفته شده است. نتایج شبیه­ سازی مدل نشانمی­ دهد میانگین خطاهای مقدار جریان تاریک ساختارها در نتیجه شبیه­ سازی نسبت به نتایج آزمایش های تجربی 3 درصد می ­باشد.مدل ارائه شده قابلیت پیش ­بینی اثر دوز یونیزان کلی تشعشعات در حسگرهای تصویربرداری ساخته­ شده در فن­ آوری سیماس 180 نانومتری را دارا می­ باشد.

متن کامل [PDF 717 kb]   (976 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb