اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 235 کاربر
- تمام بازدیدها: 21954560 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 36158 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-1332-fa.html
در این مقاله، مدلی برای مشخصه یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته شده در فناوری 180 نانومتری سیماس ارائه شده است. این مدلسازی با استفاده از بار حالت های میانی و تله های اکسید صورت گرفته است. برای صحت سنجی مدل از دو نوع حسگر تصویربرداری حساس به تشعشع ساخته شده در این فن آوری کمک گرفته شده است. نتایج شبیه سازی مدل نشانمی دهد میانگین خطاهای مقدار جریان تاریک ساختارها در نتیجه شبیه سازی نسبت به نتایج آزمایش های تجربی 3 درصد می باشد.مدل ارائه شده قابلیت پیش بینی اثر دوز یونیزان کلی تشعشعات در حسگرهای تصویربرداری ساخته شده در فن آوری سیماس 180 نانومتری را دارا می باشد.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |