برقراری ارتباط
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
URL: http://opsi.ir/article-1-1235-fa.html
نانو سیمهای سیلیسیمی به روش سونش شیمیایی تک مرحلهای در زمانهای متفاوت (80min و 60، 30) تهیه شده اند. با توجه به تصاویر FESEM آرایه هایی از نانو سیمها بهصورت منظم، متراکم و عمود بر سطح تشکیل شده است. اگرچه با افزایش زمان سونش از 30 به 60 دقیقه طول نانوسیمها افزایش و قطر آنها کاهش یافته اما با ادامه فرایند تا 80 دقیقه از طول نانو سیم ها کاسته شده اند. با استفاده از طیف بازتاب و رابطه ی Kubelka-Munk گاف نواری اپتیکی نمونه ها محاسبه شدند. دریافتیم با افزایش زمان سونش گاف نواری از eV 1/36 به eV 1/58 تحت تاثیر وقوع محدودیت کوانتومی افزایش یافته اند. این تغییرات می تواند در آشکارسازهای نوری مفید باشد.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |