[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال23 صفحات 1001-1004 برگشت به فهرست نسخه ها
خواص اپتیکی نانو سیم های سیلیسیمی ساخته شده به روش 1-MACE
خانم سمیه اشرف آبادی* 1، دکتر حسین عشقی1
1- دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده:   (939 مشاهده)

نانو سیم­های سیلیسیمی به روش سونش شیمیایی تک مرحله­ای در زمان­های متفاوت (80min و 60، 30)   تهیه شده اند. با توجه به تصاویر FESEM آرایه ­هایی از نانو سیم­ها به­صورت منظم، متراکم و عمود بر سطح تشکیل شده است. اگرچه با افزایش زمان سونش از 30 به 60 دقیقه طول نانوسیم­ها افزایش و قطر آنها کاهش یافته اما با ادامه فرایند تا 80 دقیقه از طول نانو سیم ها کاسته شده اند. با استفاده از طیف بازتاب و رابطه­ ی Kubelka-Munk گاف نواری اپتیکی نمونه­ ها محاسبه شدند. دریافتیم با افزایش زمان سونش گاف نواری از   eV 1/36 به eV 1/58 تحت تاثیر وقوع محدودیت کوانتومی افزایش یافته­ اند. این تغییرات می تواند در آشکارسازهای نوری مفید باشد.

واژه‌های کلیدی: خواص اپتیکی، گاف اپتیکی، SiNWs
متن کامل [PDF 851 kb]   (309 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Ashrafabadi S, Eshghi H. Optical Properties of Silicon Nanowires fabricated through 1-MACE . ICOP & ICPET. 2017; 23 :1001-1004
URL: http://opsi.ir/article-1-1235-fa.html

اشرف آبادی سمیه، عشقی حسین. خواص اپتیکی نانو سیم های سیلیسیمی ساخته شده به روش 1-MACE . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1395; 23 () :1001-1004

URL: http://opsi.ir/article-1-1235-fa.html



جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3796