برقراری ارتباط
جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 1004-1001 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ashrafabadi S, Eshghi H. Optical Properties of Silicon Nanowires fabricated through 1-MACE . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2017; 23 :1001-1004
URL: http://opsi.ir/article-1-1235-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1235-fa.html
اشرف آبادی سمیه، عشقی حسین. خواص اپتیکی نانو سیم های سیلیسیمی ساخته شده به روش 1-MACE . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1395; 23 () :1001-1004
سمیه اشرف آبادی* 
1، حسین عشقی1
1، حسین عشقی1
1- دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده: (2395 مشاهده)
نانو سیمهای سیلیسیمی به روش سونش شیمیایی تک مرحلهای در زمانهای متفاوت (80min و 60، 30) تهیه شده اند. با توجه به تصاویر FESEM آرایه هایی از نانو سیمها بهصورت منظم، متراکم و عمود بر سطح تشکیل شده است. اگرچه با افزایش زمان سونش از 30 به 60 دقیقه طول نانوسیمها افزایش و قطر آنها کاهش یافته اما با ادامه فرایند تا 80 دقیقه از طول نانو سیم ها کاسته شده اند. با استفاده از طیف بازتاب و رابطه ی Kubelka-Munk گاف نواری اپتیکی نمونه ها محاسبه شدند. دریافتیم با افزایش زمان سونش گاف نواری از eV 1/36 به eV 1/58 تحت تاثیر وقوع محدودیت کوانتومی افزایش یافته اند. این تغییرات می تواند در آشکارسازهای نوری مفید باشد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
