در این مقاله، کنترل پذیری کلیدزنی تمام نوری در ساختار بلور فوتونی یک بعدی نشان داده شده ­است.  ساختاری شامل لایه نقص لیتیم نیوبات (LiNbO₃) با پاسخ غیرخطی و یک جفت لایه­ نقره جهت اعمال ولتاژ خارجی با آرایشی به صورت   AB)⁵ Ag LiNbO₃ Ag (BA)⁵)  که در آن A , B  لایه های دی الکتریک با پاسخ خطی هستند پیشنهاد شده­ است. از روش ماتریس انتقال خطی درلایه­ های دی ­الکتریک و حل معادله هلمولتز برای یافتن پاسخ­ غیرخطی در لایه نقص استفاده شده­ است. وابستگی پاسخ نوری لایه LiNbO₃  به ولتاژ سبب جابجایی مد نقص و کنترل پذیری الکتریکی طیف تراگسیل خطی ساختار می­ شود. همچنین، پاسخ غیرخطی لایه LiNbO_3، از طریق جابجایی دینامیکی خواص نوری منجر به کنترل پذیری پدیده های غیر­خطی از جمله دوپایایی نوری می­ شود. جابجایی فرکانس مد نقص خطی و کنترل پذیری آستانه­ کلید زنی با ولتاژ خارجی نشان داده شده ­است.