حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 275-272 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Shahi-Vazifeh M R, Mansouri-Birjandi M A. Efficiency Improve and Absorption Enhancement of Metal-Semiconductor-Metal (MSM) Phototransistor Based on Plasmonic Metal Nanogratings . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :272-275
URL: http://opsi.ir/article-1-1104-fa.html
شاهی وظیفه محمدرضا، منصوری بیرجندی محمدعلی. بهبود بازدهی و افزایش جذب ترانزیستور نوری فلز- نیمرسانا- فلز با نانوتوری فلزی پلاسمونی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :272-275

URL: http://opsi.ir/article-1-1104-fa.html


1- دانشگاه سیستان و بلوچستان
چکیده:   (3351 مشاهده)

در این مقاله، یک ترانزیستور نوری فلز-نیمرسانا-فلز (MSM)، با بکاربردن روزنه‌ی زیرطول موج، نانو توری و نانوذرات به روش عددی المان محدود شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که تنها با موج الکترومغناطیسی TM و با زاویه ی تابش حدوداً 0/25 رادیان پلاسمون های سطحی برانگیخته می‌شود و با انتخاب ماده‌ی GaAs بعنوان زیرلایه می‌توان بیشترین مقدار جذب (0/58=&alpha) را مشاهده نمود. در این ساختار با توجه به تک حاملی بودن (نوع n) دیود نوری MSM، از زیرلایه نوع p به جهت ایجاد ویژگی تقویت کنندگی (عملکرد ترانزیستوری) بهره برده شده است.

متن کامل [PDF 862 kb]   (889 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb