در این مقاله، یک ترانزیستور نوری فلز-نیمرسانا-فلز (MSM)، با بکاربردن روزنه‌ی زیرطول موج، نانو توری و نانوذرات به روش عددی المان محدود شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که تنها با موج الکترومغناطیسی TM و با زاویه ی تابش حدوداً 0/25 رادیان پلاسمون های سطحی برانگیخته می‌شود و با انتخاب ماده‌ی GaAs بعنوان زیرلایه می‌توان بیشترین مقدار جذب (0/58=&alpha) را مشاهده نمود. در این ساختار با توجه به تک حاملی بودن (نوع n) دیود نوری MSM، از زیرلایه نوع p به جهت ایجاد ویژگی تقویت کنندگی (عملکرد ترانزیستوری) بهره برده شده است.