حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 483-480 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

baba ahmadi H, ranjbar askari H. The effects of external electric field on the absorption coefficient and refractive index of the Λ-type GaAs cylindrical quantum dots in electromagnetically induced transparency phenomena.. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :480-483
URL: http://opsi.ir/article-1-1035-fa.html
بابااحمدی میلانی هاجر، رنجبر عسکری حسن. اثرات میدان‌ الکتریکی خارجی بر روی ضریب جذب و ضریب شکست نقاط کوانتومی گالیم- آرسنیک استوانه‌ای مدل Λ در پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :480-483

URL: http://opsi.ir/article-1-1035-fa.html


1- ولیعصر رفسنجان
چکیده:   (2873 مشاهده)

در این مقاله، بررسی می‌شود که میدان الکتریکی خارجی چه تاثیری بر روی ارتفاع بیشینه و پهنای کامل در نصف ارتفاع بیشینه‌‌ی شفافیت القایی الکترومغناطیسی دارد. سیستم کوانتومی شامل یک نقطه‌ی کوانتومی استوانه‌ای گالیم- آرسنیک (GaAs) سه ترازی مدل &Lambda با پتانسیل سهموی است. پذیرفتاری یک نقطه‌ی کوانتومی استوانه‌ای GaAs ، با پیدا کردن ویژه توابع و ویژه مقادیر به دست می‌آید.

متن کامل [PDF 778 kb]   (925 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb