اثرات میدان‌ الکتریکی خارجی بر روی ضریب جذب و ضریب شکست نقاط کوانتومی گالیم- آرسنیک استوانه‌ای مدل Λ در پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی

بابااحمدی میلانی, هاجر; رنجبر عسکری, حسن

بخش‌های اصلی

شاخه‌ی صنعتی نور فناوران و شرکت های عضو

حمایت از انجمن اپتیک و فوتونیک

ارتباط انجمن اپتیک و فوتونیک

اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.

دریافت آخرین شماره خبرنامه

آمار سایت

کل کاربران ثبت شده: 1970 کاربر
کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
میهمانان در حال بازدید: 683 کاربر
تمام بازدید‌ها: 24896335 بازدید
بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 38423 بازدید

کنفرانس های انجمن

همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1404
(در مرحله دریافت مقالات)

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 483-480 | برگشت به فهرست نسخه ها

Mendeley

Zotero

RefWorks

baba ahmadi H, ranjbar askari H. The effects of external electric field on the absorption coefficient and refractive index of the Λ-type GaAs cylindrical quantum dots in electromagnetically induced transparency phenomena.. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :480-483
URL: http://opsi.ir/article-1-1035-fa.html

بابااحمدی میلانی هاجر، رنجبر عسکری حسن. اثرات میدان‌ الکتریکی خارجی بر روی ضریب جذب و ضریب شکست نقاط کوانتومی گالیم- آرسنیک استوانه‌ای مدل Λ در پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :480-483

URL: http://opsi.ir/article-1-1035-fa.html

اثرات میدان‌ الکتریکی خارجی بر روی ضریب جذب و ضریب شکست نقاط کوانتومی گالیم- آرسنیک استوانه‌ای مدل Λ در پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی

هاجر بابااحمدی میلانی^*¹

، حسن رنجبر عسکری¹

1- ولیعصر رفسنجان

چکیده: (3815 مشاهده)

در این مقاله، بررسی می‌شود که میدان الکتریکی خارجی چه تاثیری بر روی ارتفاع بیشینه و پهنای کامل در نصف ارتفاع بیشینه‌‌ی شفافیت القایی الکترومغناطیسی دارد. سیستم کوانتومی شامل یک نقطه‌ی کوانتومی استوانه‌ای گالیم- آرسنیک (GaAs) سه ترازی مدل &Lambda با پتانسیل سهموی است. پذیرفتاری یک نقطه‌ی کوانتومی استوانه‌ای GaAs ، با پیدا کردن ویژه توابع و ویژه مقادیر به دست می‌آید.

واژه‌های کلیدی: : اپتیک غیرخطی، شفافیت القایی الکترومغناطیسی(EIT)، ضریب جذب، ضریب شکست، نقطه‌ی کوانتومی.

متن کامل [PDF 778 kb] (1279 دریافت)

نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول

بازنشر اطلاعات
	این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.