اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 241 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22113891 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 22531 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 483-480 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
baba ahmadi H, ranjbar askari H. The effects of external electric field on the absorption coefficient and refractive index of the Λ-type GaAs cylindrical quantum dots in electromagnetically induced transparency phenomena.. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :480-483
URL: http://opsi.ir/article-1-1035-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1035-fa.html
بابااحمدی میلانی هاجر، رنجبر عسکری حسن. اثرات میدان الکتریکی خارجی بر روی ضریب جذب و ضریب شکست نقاط کوانتومی گالیم- آرسنیک استوانه‌ای مدل Λ در پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :480-483
1- ولیعصر رفسنجان
چکیده: (3394 مشاهده)
در این مقاله، بررسی می‌شود که میدان الکتریکی خارجی چه تاثیری بر روی ارتفاع بیشینه و پهنای کامل در نصف ارتفاع بیشینه‌‌ی شفافیت القایی الکترومغناطیسی دارد. سیستم کوانتومی شامل یک نقطه‌ی کوانتومی استوانه‌ای گالیم- آرسنیک (GaAs) سه ترازی مدل &Lambda با پتانسیل سهموی است. پذیرفتاری یک نقطه‌ی کوانتومی استوانه‌ای GaAs ، با پیدا کردن ویژه توابع و ویژه مقادیر به دست می‌آید.
واژه‌های کلیدی: : اپتیک غیرخطی، شفافیت القایی الکترومغناطیسی(EIT)، ضریب جذب، ضریب شکست، نقطه‌ی کوانتومی.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
