برقراری ارتباط
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1652-1649 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Pourali E, Daraie M, Asadi R. A Proposal for Design, Simulation and formation of a 0.45 μm thick Oxide on a Silicon Wafer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1649-1652
URL: http://opsi.ir/article-1-100-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-100-fa.html
Pourali Elyar، Daraie Mohammad، Asadi Ramin. A Proposal for Design, Simulation and formation of a 0.45 μm thick Oxide on a Silicon Wafer. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1649-1652
Elyar Pourali* 
1، Mohammad Daraie2 ، Ramin Asadi3
1، Mohammad Daraie2 ، Ramin Asadi3
1- Tarbiat Modares University
2- Pyame-Noor University
3- Azad University of Damavand
2- Pyame-Noor University
3- Azad University of Damavand
چکیده: (3690 مشاهده)
In this paper we propose a method for formation of a 0.45 μm thick oxide on a 4 inch silicon wafer. We show that the simulation results are in very good agreement with practical process. We have used Athena TCAD package, Centrotherm oxidation tubes and optical microscope and α-step thickness measuring devices to simulate, fabricate and testing of the oxide.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
