[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 1649-1652 برگشت به فهرست نسخه ها
A Proposal for Design, Simulation and formation of a 0.45 μm thick Oxide on a Silicon Wafer
Mr Elyar Pourali* 1، Mr Mohammad Daraie2، Mr Ramin Asadi3
1- Tarbiat Modares University
2- Pyame-Noor University
3- Azad University of Damavand
چکیده:   (1960 مشاهده)
In this paper we propose a method for formation of a 0.45 μm thick oxide on a 4 inch silicon wafer. We show that the simulation results are in very good agreement with practical process. We have used Athena TCAD package, Centrotherm oxidation tubes and optical microscope and α-step thickness measuring devices to simulate, fabricate and testing of the oxide.
واژه‌های کلیدی: Oxidation، silicon
متن کامل [PDF 699 kb]   (627 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Pourali E, Daraie M, Asadi R. A Proposal for Design, Simulation and formation of a 0.45 μm thick Oxide on a Silicon Wafer. ICOP & ICPET. 2014; 20 :1649-1652
URL: http://opsi.ir/article-1-100-fa.html

Pourali Elyar، Daraie Mohammad، Asadi Ramin. A Proposal for Design, Simulation and formation of a 0.45 μm thick Oxide on a Silicon Wafer. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1649-1652

URL: http://opsi.ir/article-1-100-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3772