اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 280 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21762276 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 13643 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 88-85 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Ostovari F, Moravvej-Farshi M K. Solar Blind Ultraviolet Photodetection with Armchair Graphene Nanoribbons and Asymmetric Source and Drain Contacts. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :85-88
URL: http://opsi.ir/article-1-79-fa.html
Ostovari Fatemeh، Moravvej-Farshi Mohammad Kazem. Solar Blind Ultraviolet Photodetection with Armchair Graphene Nanoribbons and Asymmetric Source and Drain Contacts. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :85-88

URL: http://opsi.ir/article-1-79-fa.html


1- Tarbiat Modares University
چکیده:   (5960 مشاهده)
Characteristics of photodetectors with asymmetric source and drain contacts and armchair graphene nanoribbons (a-GNR) channel under monochromatic illuminations of various incident energies in the range of mid infrared to solar blind ultra violet are simulated. Simulations show the photocurrent spectrum for the device connected between asymmetric leads made of Au-contacted and Ti-contacted graphenes, under monochromatic illumination of incident intensity 103 W/cm2, exhibits a peak current of 1.897 μA. This peak that is obtained in absence of any external biases, applied to the device terminals, occurs at the energy E=5.02 eV and correspond to the quantum efficiency of 60%. The evaluated responsivity for this photodetector under zero applied biases equals 13.4 A/mW. The negative and positive local photocurrents are shown peak near the p-type source channel and n-type drain-channel boundaries under negative gate to source voltages, respectively. Polarities of the local photocurrents alter when the gate-source voltage approaches to the Dirac point, for which the maximum total photocurrent is achieved. Finally, the total device current versus the drain-source voltages obtained under monochromatic illumination, for VGS=0, is shown to shift toward negative values in comparison the dark current. Simulations are performed, using the nonequilibrium Green’s function (NEGF) formalismcoupled to Poisson solver.
متن کامل [PDF 771 kb]   (1566 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb