اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 344 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21754838 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12387 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 28-25 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Heidari M, Zarifkar A, Sheikhi M H. Investigation of the Impact Ionization Effect In Graphene Nanoribbon-based Phototransistor. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :25-28
URL: http://opsi.ir/article-1-41-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-41-fa.html
حیدری محسن، ظریفکار عباس، شیخی محمدحسین. بررسی تاثیر برخورد یونیزه کننده در ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :25-28
محسن حیدری1 
، عباس ظریفکار*1 ، محمدحسین شیخی1
، عباس ظریفکار*1 ، محمدحسین شیخی1
1- دانشگاه شیراز
چکیده: (8335 مشاهده)
ما دراین مقاله برای نخستین بار، تاثیر برخورد یونیزه کننده بر افزایش بهره نوری ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن را بررسی می کنیم. ترانزیستوری نوری که بررسی می کنیم، بر پایه آرایه ای از نانو روبان های گرافن شکل گرفته و گیت زبرین و گیت زیرین، افزایش بهره نوری ناشی از تکثیر حامل ها را به شدت کنترل می کند. مشاهده می شود که تکثیر حامل ها به ازای ولتاژ معمولی درین نیز، رخ می دهد. بنابراین صرفنظر کردن از برخورده یونیزه کننده، خطای بزرگی در محاسبه جریان نوری به همراه خواهد داشت.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
