[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 25-28 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی تاثیر برخورد یونیزه کننده در ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن
آقای محسن حیدری1، دکتر عباس ظریفکار* 2، دکتر محمدحسین شیخی2
1- دانشگاه شیراز
2- دانشيار دانشگاه شیراز
چکیده:   (5344 مشاهده)
ما دراین مقاله برای نخستین بار، تاثیر برخورد یونیزه کننده بر افزایش بهره نوری ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن را بررسی می کنیم. ترانزیستوری نوری که بررسی می کنیم، بر پایه آرایه ای از نانو روبان های گرافن شکل گرفته و گیت زبرین و گیت زیرین، افزایش بهره نوری ناشی از تکثیر حامل ها را به شدت کنترل می کند. مشاهده می شود که تکثیر حامل ها به ازای ولتاژ معمولی درین نیز، رخ می دهد. بنابراین صرفنظر کردن از برخورده یونیزه کننده، خطای بزرگی در محاسبه جریان نوری به همراه خواهد داشت.
واژه‌های کلیدی: برخورد یونیزه کننده، ترانزیستور نوری، تکثیر حامل ها، نانو روبان گرافن
متن کامل [PDF 498 kb]   (1049 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Heidari M, Zarifkar A, Sheikhi M H. Investigation of the Impact Ionization Effect In Graphene Nanoribbon-based Phototransistor. ICOP & ICPET. 2014; 20 :25-28
URL: http://opsi.ir/article-1-41-fa.html

حیدری محسن، ظریفکار عباس، شیخی محمدحسین. بررسی تاثیر برخورد یونیزه کننده در ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :25-28

URL: http://opsi.ir/article-1-41-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3728