اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 307 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21760060 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12804 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1180-1177 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
kordghasemi Z, eshghi H. Theoretical study of the electrical properties of Au/n-GaN Schottky diode . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1177-1180
URL: http://opsi.ir/article-1-408-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-408-fa.html
کردقاسمی زهره، عشقی حسین. مطالعه نظری خواص الکتریکی دیود شاتکی Au/n-GaN . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1177-1180
چکیده: (12988 مشاهده)
چکیده-دراین تحقیق مشخصه I-V مربوط به دیود شاتکی Au/n-GaN در گستره دمایی 100- K 350 مورد مطالعه قرار گرفته است. کمیت های گوناگون مانند: بزرگی ارتفاع سد φb0 ،ضریب ایده آلیn و مقاومت متوالی Rsقطعه با استفاده از نظریه گسیل گرمایونی (TE) و به روش چانگ مبتنی بر یک ارتفاع سد پتانسیل ثابت تعیین شدند. دریافتیم نظریه تعمیم یافته گسیل گرمایونی با در نظر گیری وجود ارتفاع سد ناهمگون (با توزیع گوسی) نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
