جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET سال20 صفحات 1177-1180 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

kordghasemi Z, eshghi H. Theoretical study of the electrical properties of Au/n-GaN Schottky diode . ICOP & ICPET. 2014; 20 :1177-1180
URL: http://opsi.ir/article-1-408-fa.html
کردقاسمی زهره، عشقی حسین. مطالعه نظری خواص الکتریکی دیود شاتکی Au/n-GaN . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1177-1180

URL: http://opsi.ir/article-1-408-fa.html


چکیده:   (11657 مشاهده)
چکیده-دراین تحقیق مشخصه I-V مربوط به دیود شاتکی Au/n-GaN در گستره دمایی 100- K 350 مورد مطالعه قرار گرفته است. کمیت های گوناگون مانند: بزرگی ارتفاع سد φb0 ،ضریب ایده آلیn و مقاومت متوالی Rsقطعه با استفاده از نظریه گسیل گرمایونی (TE) و به روش چانگ مبتنی بر یک ارتفاع سد پتانسیل ثابت تعیین شدند. دریافتیم نظریه تعمیم یافته گسیل گرمایونی با در نظر گیری وجود ارتفاع سد ناهمگون (با توزیع گوسی) نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه است.
متن کامل [PDF 531 kb]   (1197 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb