[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 1177-1180 برگشت به فهرست نسخه ها
مطالعه نظری خواص الکتریکی دیود شاتکی Au/n-GaN
زهره کردقاسمی* 1، حسین عشقی
چکیده:   (10647 مشاهده)
چکیده-دراین تحقیق مشخصه I-V مربوط به دیود شاتکی Au/n-GaN در گستره دمایی 100- K 350 مورد مطالعه قرار گرفته است. کمیت های گوناگون مانند: بزرگی ارتفاع سد φb0 ،ضریب ایده آلیn و مقاومت متوالی Rsقطعه با استفاده از نظریه گسیل گرمایونی (TE) و به روش چانگ مبتنی بر یک ارتفاع سد پتانسیل ثابت تعیین شدند. دریافتیم نظریه تعمیم یافته گسیل گرمایونی با در نظر گیری وجود ارتفاع سد ناهمگون (با توزیع گوسی) نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه است.
واژه‌های کلیدی: دیود شاتکی، n-GaN، گسیل گرمایونی، مشخصه الکتریکی، نظریه سد ناهمگون
متن کامل [PDF 531 kb]   (714 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code
نظرات کاربران
نظر ارسال شده توسط نام يا پست الكترونيك در تاریخ ۱۳۹۳/۴/۵
با عرض سلام و خسته نباشید
مطالب بسیار مفید و کار امد بود. تشکر


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

kordghasemi Z, eshghi H. Theoretical study of the electrical properties of Au/n-GaN Schottky diode . ICOP & ICPET. 2014; 20 :1177-1180
URL: http://opsi.ir/article-1-408-fa.html

کردقاسمی زهره، عشقی حسین. مطالعه نظری خواص الکتریکی دیود شاتکی Au/n-GaN . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1177-1180

URL: http://opsi.ir/article-1-408-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781