اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1964 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 537 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22701534 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 2009 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1528-1525 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
mokhtarnejad M, Tajali H, Roshan entezar S. Using optical pulse pump to Control band gap of photonic crystals containing InGaAs/GaAs semiconductor quantum wells . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1525-1528
URL: http://opsi.ir/article-1-112-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-112-fa.html
مختارنژاد مهشید، تجلی حبیب، روشن انتظار صمد. کنترل گاف باند بلورهای فوتونی شامل نیم‌رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAsاز طریق دمش نوری . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1525-1528
چکیده: (38157 مشاهده)
در این مقاله تأثیر زاویه تابش درضریب بازتاب و گاف باند بلور فوتونی متشکل از نیم رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAs، تحت تابش یک پالس قوی دمشی فمتوثانیه مورد بررسی قرارگرفته است. نتایج نشان می‌دهد که به علت اثر اشتارک اپتیکی و کنترل فرکانس تشدید اکسیتون، گاف باند این بلور قابل کنترل می‌شود. این گاف باند قابل کنترل توسط اثراشتارک، می‌تواند در طراحی کلیدها و فیلترهای نوری مفید باشد. به دلیل ابعاد کوچک معرفی شده، این ساختار قابلیت زیادی در مدارات مجتمع نوری و سیستم‌های مخابرات نوری دارد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
