جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET سال20 صفحات 1525-1528 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

mokhtarnejad M, Tajali H, Roshan entezar S. Using optical pulse pump to Control band gap of photonic crystals containing InGaAs/GaAs semiconductor quantum wells . ICOP & ICPET. 2014; 20 :1525-1528
URL: http://opsi.ir/article-1-112-fa.html
مختارنژاد مهشید، تجلی حبیب، روشن انتظار صمد. کنترل گاف باند بلورهای فوتونی شامل نیم‌رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAsاز طریق دمش نوری . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1525-1528

URL: http://opsi.ir/article-1-112-fa.html


چکیده:   (36351 مشاهده)
در این مقاله تأثیر زاویه تابش درضریب بازتاب و گاف باند بلور فوتونی متشکل از نیم رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAs، تحت تابش یک پالس قوی دمشی فمتوثانیه مورد بررسی قرارگرفته است. نتایج نشان می‌دهد که به علت اثر اشتارک اپتیکی و کنترل فرکانس تشدید اکسیتون، گاف باند این بلور قابل کنترل می‌شود. این گاف باند قابل کنترل توسط اثراشتارک، می‌تواند در طراحی کلیدها و فیلترهای نوری مفید باشد. به دلیل ابعاد کوچک معرفی شده، این ساختار قابلیت زیادی در مدارات مجتمع نوری و سیستم‌های مخابرات نوری دارد.
متن کامل [PDF 453 kb]   (1101 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb