[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 1525-1528 برگشت به فهرست نسخه ها
کنترل گاف باند بلورهای فوتونی شامل نیم‌رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAsاز طریق دمش نوری
خانم مهشید مختارنژاد* 1، آقای حبیب تجلی، آقای صمد روشن انتظار
چکیده:   (35057 مشاهده)
در این مقاله تأثیر زاویه تابش درضریب بازتاب و گاف باند بلور فوتونی متشکل از نیم رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAs، تحت تابش یک پالس قوی دمشی فمتوثانیه مورد بررسی قرارگرفته است. نتایج نشان می‌دهد که به علت اثر اشتارک اپتیکی و کنترل فرکانس تشدید اکسیتون، گاف باند این بلور قابل کنترل می‌شود. این گاف باند قابل کنترل توسط اثراشتارک، می‌تواند در طراحی کلیدها و فیلترهای نوری مفید باشد. به دلیل ابعاد کوچک معرفی شده، این ساختار قابلیت زیادی در مدارات مجتمع نوری و سیستم‌های مخابرات نوری دارد.
واژه‌های کلیدی: بلور فوتونی، اثر اشتارک، گاف باند، کلیدنوری
متن کامل [PDF 453 kb]   (828 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

mokhtarnejad M, Tajali H, Roshan entezar S. Using optical pulse pump to Control band gap of photonic crystals containing InGaAs/GaAs semiconductor quantum wells . ICOP & ICPET. 2014; 20 :1525-1528
URL: http://opsi.ir/article-1-112-fa.html

مختارنژاد مهشید، تجلی حبیب، روشن انتظار صمد. کنترل گاف باند بلورهای فوتونی شامل نیم‌رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAsاز طریق دمش نوری . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1525-1528

URL: http://opsi.ir/article-1-112-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781