|
جابجایی گسیلnm 80 از هسته ZnSe به هسته-پوسته ZnSe/CdS
|
| خانم مهسا محمدی*1، محمد حسن یوسفی1، مهدی داودی1 |
| 1- دانشگاه صنعتی مالک اشتر |
|
|
چکیده: (1736 مشاهده) |
در این پژوهش از روش TGA محلول در آب برای آماده سازی نانو بلورهای هسته - پوسته ZnSe/CdS استفاده شده است. نانو بلورهای هسته -پوسته ZnSe/CdS گسیل فوتولومینسانس (400-550 nm) با پهنای باند کم و تنظیم پذیر دارند. با تغییر لیگاندهای تیول و ضخامت پوسته جابجایی طیف جذب و فلوئورسان را مشاهده کردیم. بنابراین اثر متغیرهای تجربی مثل نوع لیگاند تیول و مقدار آن، دمای واکنش و تاثیر pH برروی سنتز و ویژگیهای نوری نانو بلورهای هسته -پوسته بررسی شدند. همچنین شدت گسیل PL از نانوساختارهای هسته -پوسته ZnSe/CdS به طور عمده در مقایسه با نانو بلورهای ZnSe بهبود یافته است و در طول موج گسیل به اندازه 80 نانومتر جابجایی مشاهده میشود (شیفت قرمز) که به علت رشد و پوسته CdS پیرامون هسته ZnSe میباشد. |
|
| واژه‌های کلیدی: ZnSe/CdS، فوتولومینسانس، نانوبلورهای هسته- پوسته |
|
|
متن کامل [PDF 669 kb]
(711 دریافت)
|
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
