[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال21 صفحات 5-8 برگشت به فهرست نسخه ها
طراحی جدید سلول خورشیدی InGaP/GaAs/Si با بازدۀ کوانتومی بالا بر پایه نانوساختار
دکتر علی فرمانی* 1، دکتر محمد حسین شیخی2، دکتر سجاد دهقانی3
1- دانشجوی دکتری دانشگاه شیراز
2- دانشيار دانشگاه شیراز
3- استاديار دانشگاه شیراز
چکیده:   (2164 مشاهده)
در این مقاله یک سلول خورشیدی نانوساختار InGaP/GaAs/Si معرفی می گردد. برای افزایش بازدۀ کوانتومی سلول خورشیدی پیشنهادی، از تکنیک های کاهش تلفات ناشی از بازترکیب های غیرتشعشعی و افزایش ضریب جذب استفاده شده است. نتایج شبیه سازی ساختار طراحی شده نشان می دهد، که با در نظرگرفتن تطبیق شبکه بین لایه ها علاوه بر رسیدن به بازدۀ کوانتومی بالا، قسمت بیشتری از طیف نور خورشید را جذب می کند. سلول خورشیدی در نرم افزار سیلواکو ورژن 3.20.2 شبیه سازی و بازدۀ کوانتومی به 65% رسیده است.
واژه‌های کلیدی: نانوساختار، سلول خورشیدی چاه کوانتومی، بازدۀ کوانتومی
متن کامل [PDF 206 kb]   (1039 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

A Novel Design Of InGaP/GaAs/Si Solar Cells with High Quantum Efficiency Based on Nanostructures. ICOP & ICPET. 2015; 21 :5-8
URL: http://opsi.ir/article-1-451-fa.html

فرمانی علی، شیخی محمد حسین، دهقانی سجاد. طراحی جدید سلول خورشیدی InGaP/GaAs/Si با بازدۀ کوانتومی بالا بر پایه نانوساختار. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1393; 21 () :5-8

URL: http://opsi.ir/article-1-451-fa.html



جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.13 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3727