اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 324 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22087421 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12972 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 524-521 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rashidi S, Roshan Entezar S, rashidi A. Influence of Changing the Thickness of Ge2Sb2Te5 Nanolayer on Absorption Behavior in One-Dimensional Asymmetric Photonic Multilayers. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :521-524
URL: http://opsi.ir/article-1-2710-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2710-fa.html
رشیدی شیوا، روشن انتظار صمد، رشیدی آرزو. تأثیر تغییر ضخامت نانولایه ی Ge2Sb2Te5 بر رفتار جذب در چندلایه های فوتونی نامتقارن یک بعدی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :521-524
چکیده: (634 مشاهده)
در این مقاله، با تغییر ضخامت نانو لایه ی (GST) Ge2Sb2Te5 در یک ساختار نامتقارن، خواص جذب بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که با انتخاب مناسب ضخامت آن، امکان افزایش جذب در هر یک از فازهای آمورف و یا بلورین GST فراهم است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
