اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 445 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21907077 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 41752 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 981-978 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
shirin S, madani A, Roshan Entezar S. Study of Pockels effect on the optical filters in chiral materials doped with metal nanoparticles. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :978-981
URL: http://opsi.ir/article-1-2633-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2633-fa.html
شیرین سیمین، مدنی امیر، روشن انتظار صمد. مطالعه اثر پاکلز بر روی فیلترهای اپتیکی در یک ساختار لایه ای یک بعدی حاوی مواد کایرال شبه همسانگرد الائیده شده با نانوذرات فلزی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :978-981
سیمین شیرین*1 
، امیر مدنی2 ، صمد روشن انتظار3
، امیر مدنی2 ، صمد روشن انتظار3
1-
2- دانشگاه بناب
3- دانشگاه تبریز
2- دانشگاه بناب
3- دانشگاه تبریز
چکیده: (784 مشاهده)
در این مقاله انتشار امواج الکترومغناطیسی از یک بلور فوتونی یک بعدی حاوی مواد نانوکامپوزیت کایرال‌ساختاری شبه همسانگرد الکترواپتیکی در غیاب و همچنین در حضور میدان الکتریکی با فرکانس پایین بررسی شده است. در غیاب ولتاژ اعمال شده و نانوذرات فلزی، یک گاف باند فوتونی مستقل از قطبش دایروی در طیف عبور ایجاد می‌شود. در حضور ولتاژ اعمال شده، این گاف باند فوتونی به یک گاف باند فوتونی حساس به قطبش دایروی تبدیل می‌شود. همچنین نشان داده شده‌است که ولتاژ اعمال شده باعث افزایش عرض این گاف باند می‌شود. علاوه بر این، ولتاژ اعمال شده می‌تواند یک گاف باند فوتونی جدید را که مستقل از قطبش است، حتی زمانی که چنین گاف باندی در غیاب میدان الکتریکی با فرکانس پایین وجود ندارد، باز کند. همچنین ما اثر نانوذرات فلزی را نیز در طیف عبور این ساختار بررسی کردیم و نشان دادیم که یک گاف باند جدید مستقل از قطبش و ولتاژ در طیف عبور ساختار خلق می‌شود که ناشی از تحریک پلاسمون‌های سطحی بوده و موقعیت آن وابسته به جنس نانوذرات جابجا می‌شود.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
