اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 155 کاربر
- تمام بازدیدها: 22061307 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 30291 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 528-525 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



Shirin S, madani A, roshan entezar S. Properties of defect modes in a photonic crystal with a defect structurally chiral layer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :525-528
URL: http://opsi.ir/article-1-2560-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2560-fa.html
شیرین سیمین، مدنی امیر، روشن انتظار صمد. ویژگیهای مدهای نقص در یک بلور فوتونی با یک لایه نقص کایرال ساختاری. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :525-528
چکیده: (748 مشاهده)
در این مقاله، خواص مدهای نقص فوتونی در یک بلور فوتونی یکبعدی ساخته شده از لایههای متناوب محیط دی الکتریک همسانگرد با یک لایه نقص مرکزی متشکل از یک محیط کایرالساختاری با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. ماده کایرالساختاری دارای تقارن گروه نقطهای
است. نتایج نشان میدهد که ساختار پیشنهادی دارای یک گاف باند فوتونی در ناحیه اپتیکی است. همچنین چهار مد نقص در گاف باند فوتونی مربوطه قابل مشاهدهاست که ناشی از شکستن تناوب شبکه بلور فوتونی است. نشان داده شدهاست که زاویه خمش میتواند تعداد و موقعیت این مدهای نقص را در طیف عبور ساختار تغییر دهد.

ارسال پیام به نویسنده مسئول
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |