برقراری ارتباط
سال 28، شماره 1 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در اولین کنفرانس ملی حسگرهای فیبر نوری 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 48-46 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rezaee Sirous P, Batebi S. Optical measurement of semiconductor layer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 28 (1) :46-48
URL: http://opsi.ir/article-1-2506-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2506-fa.html
رضایی سیروس پدرام، باطبی سعید. اندازه‌گیری نوری ضخامت لایه‌های نیمه هادی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (1) :46-48
1- گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت، ایران
چکیده: (648 مشاهده)
با توسعه فناوری نانو، نیاز به ساخت و توسعه ابزارهای اندازه‌گیری جز لاینفک تحقیقات بشمار می‌رود. در این پژوهش به طراحی و ساخت سیستم اندازه‌گیری نوری غیرتماسی ضخامت لایه‌های نیمه هادی پرداخته شده است. با استفاده از یک لیزر قرمز با طول موج 632.8 نانومتری (توان 2 میلی وات)، طراحی اپتیکی مناسب و چیدمان تداخل‌سنج فابری پرو فریز‌های تداخلی بدست می‌آیند. فریز‌های کروی بدست آمده با تغییر ضخامت سطحی بصورت مداوم تغییر می‌نمایند، و با شمارش این خطوط ضخامت لایه بدست می‌آید. با چیدمان مناسب اپتیکی، تشکیل این خطوط، طراحی مدار الکتریکی و استفاده از هوش مصنوعی ضخامت لایه نیمه هادی را با با چندین روش مختلف اندازه گرفته شده است. در این بین به بررسی هر روش پرداخته و در آخر با استفاده از فتودیود Tsl 250 و استفاده از تحلیل ویدیو بهترین نتیجه و حداقل اندازه گیری 600 نانومتر ثبت شد.
واژه‌های کلیدی: میکروسکوپ نوری، تداخل‌سنج فابری‌پرو، اندازه‌گیری ضخامت نیمه‌هادی
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
