اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 155 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22025365 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 33650 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 808-805 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Abbasi S P, Givkey H, Razeghi F. Measurement of 808nm InAlGaAs/AlGaAs Diode Lasers Beam Quality. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :805-808
URL: http://opsi.ir/article-1-2484-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2484-fa.html
عباسی سید پیمان، گیوکی هومن، رازقی فاطمه. سنجش کیفیت باریکه لیزر نیمه‌هادی 808 نانومتر InAlGaAs/AlGaAs . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :805-808
سید پیمان عباسی *1 
، هومن گیوکی1 ، فاطمه رازقی1
، هومن گیوکی1 ، فاطمه رازقی1
1- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، خیابان ابطحی، کارگر شمالی، تهران
چکیده: (854 مشاهده)
واگرایی بزرگ، عدم تقارن پروفایل میدان دور و نزدیک و آستیگمات بودن باریکه به‌کارگیری آن را نسبت به باریکه لیزرهای دیگر دشوار می‌سازد. لذا به‌کارگیری باریکه لیزر نیمه هادی در کاربردهای مختلف مستلزم شکل‌دهی باریکه و یاتزویج باریکه به فیبر نوری است. در این تحقیق با بکارگیری ساختار نامتقارن و افزایش ضخامت لایه موجبر با کنترل مدهای عرضی بدون کاهش کیفیت باریکه، واگرایی کاهش پیدا کرده است. همچنین در این نوشتار چیدمانی برای اندازه گیری کیفیت باریکه معرفی شده است که با تقریب بسیار مناسبی قابلیت به کارگیری را داراست.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
