اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 319 کاربر
- تمام بازدیدها: 21974359 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 32927 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 719-716 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



Fouladi H, Farmani A, Mir A. Numerical modeling ofGaAs-based solar cell with broadband absorption spectrum. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :716-719
URL: http://opsi.ir/article-1-2463-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2463-fa.html
فولادی حدیث، فرمانی علی، میر علی. مدلسازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیومآرسناید با طیف جذب باندپهن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :716-719
حدیث فولادی*1
، علی فرمانی1
، علی میر1






1- گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه لرستان، خرمآباد، ایران
چکیده: (777 مشاهده)
سلولهای خورشیدی مبتنیبر GaAs (گالیوم-آرسناید) بهدلیل بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابشهای کیهانی و گرما اهمیت بالایی دارند.در این مقاله به مدلسازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیومآرسناید با طیف جذب باندپهن پرداخته میشود.در سلولهای خورشیدی بهمنظور طراحی و عملکرد سیستم، مدلسازی عددی مبتنیبر روش تفاضل محدود در زمان ارائه شدهاست. نتایج مدلسازی نشان میدهدکه ساختار پیشنهادی، بهدلیل هندسه ساختار و استفاده از گالیومآرسناید، دارای بهبود مناسب از لحاظ پهنای باند ومقدار جذب نسبت به ساختارهای مشابه است.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |