اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 318 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21973630 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 32935 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 584-581 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abbasi F, Ghorashi S M B, Karimzadeh E. Investigation of Optoelectronic Characteristics of Organic Emission Diode Based on ITO/MoO3/NPB/Alq3: DCJTB/Alq3/LiF/Al Heterostructure. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :581-584
URL: http://opsi.ir/article-1-2432-fa.html
عباسی فاطمه، قرشی سید محمدباقر، کریم‌زاده المیرا. بررسی مشخصات اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی مبتنی بر ساختار ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :581-584

URL: http://opsi.ir/article-1-2432-fa.html


1- دانشکده لیزر و فوتونیک دانشکده فیزیک دانشگاه کاشان، کاشان
2- گروه مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
چکیده:   (827 مشاهده)
در این تحقیق، ویژگی‌های اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی با ساختار ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al شبیه‌سازی شده‌است. دیودهای نور گسیل آلی با لایه میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) با نرم‌افزار APSYS (Advanced Physical Model of Simulation Devices) مورد بررسی قرار گرفتند. طول موج نشر در 520 نانومتر برای نمونه مرجع (بدون مهمان) ظاهر شد. پس از آن تاثیر حضور لایه میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) با درصد وزنی­‌های 0، 1، 5 و 10 در این ساختار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج شبیه‌سازی نشان دادند که استفاده از لایه میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) طول موج نشر را به 630 نانومتر انتقال می‌دهد. هم‌چنین نمونه ای با 5 درصد وزنی ماده مهمان DCJTB دارای بازدهی جریان بهتر نسبت به نمونه مرجع شد. منشأ فیزیکی عملکرد نوری بهبود یافته برای دیودهای نور گسیل آلی با حضور ساختار میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) می‌تواند به‌دلیل افزایش الکترون­‌ها و حفره‌­ها در رابط بین لایه‌های Alq3: DCJTB و Alq3 باشد،که این امر منجر به افزایش نرخ بازترکیبی تابشی و بهبود بازدهی جریان می‌شود.
متن کامل [PDF 239 kb]   (430 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb