[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 485-488 برگشت به فهرست نسخه ها
تأثیر دمای باز‌پخت بر گاف انرژی نوری و ریز‌ساختار لایه‌های نازک سولفید کادمیوم
مرضیه سعیدی* 1، دکتر ویشتاسب سلیمانیان1
1- گروه فیزیک- دانشگاه شهرکرد
چکیده:   (3670 مشاهده)
در این بر‌رسی نانو‌ذرات سولفید کادمیوم به روش حمام شیمیایی روی زیر لایه‌ی شیشه نشانده شد. با مطالعه‌ی طیف مرئی- ‌فرابنفش نمونه‌ها تغییرات گاف انرژی به‌صورت تابعی از دمای باز‌پخت مورد بر‌رسی قرار گرفت. همچنین ریز‌ساختار فیلم‌های سولفید کادمیوم بر‌حسب اندازه بلورک‌ها، چگالی در‌رفتگی و صفحات لغزشی فعال با استفاده از تحلیل خطوط پراش و نرم‌افزار CMWP مطالعه شد.
واژه‌های کلیدی: چگالی دررفتگی، ریز ساختار، سولفید کادمیوم، گاف انرژی
متن کامل [PDF 664 kb]   (758 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Saeedi M, Soleimanian V. The effect of annealing temperature on the optical energy gap and microstructure of CdS thin films. ICOP & ICPET. 2014; 20 :485-488
URL: http://opsi.ir/article-1-238-fa.html

سعیدی مرضیه، سلیمانیان ویشتاسب. تأثیر دمای باز‌پخت بر گاف انرژی نوری و ریز‌ساختار لایه‌های نازک سولفید کادمیوم. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :485-488

URL: http://opsi.ir/article-1-238-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781