اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 241 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21974115 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 32924 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 341-338 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Shomalian B. Structural and Optical properties of nanostructured W-doped MoS2 (MoS2:W) thin films. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :338-341
URL: http://opsi.ir/article-1-2373-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2373-fa.html
شمالیان بهار. خواص ساختاری و اپتیکی لایه‌های نازک نانوساختار سولفید مولیبدن آلاییده با تنگستن (MoS2:W). مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :338-341
گروه فیزیک، واحد زنجان، دانشگاه آزاد اسلامی، زنجان، ایران
چکیده: (907 مشاهده)
در این تحقیق لایه‌های نازک نانوساختار سولفید مولیبدن آلاییده با تنگستن (MoS2:W) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه‌ای تهیه شدند. خواص ساختاری و اپتیکی لایه‌ها با استفاده از دستگاه XRD و اسپکتروفوتومتر Uv-vis بررسی شد. آنالیز ساختاری XRD ، تشکیل هر دو فاز MoS2 و WS2 را در نمونه‌های آلاییده با تنگستن نشان داد. گاف نواری در گستره 76/1 – 02/2 الکترون ولت و 41/1-62/1 الکترون ولت به ترتیب برای فاز MoS2 و WS2 به‌دست آمد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
