اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 606 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21888696 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 46207 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 27، شماره 1 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در همایش نانوفوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 120-118 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Jafari A, Ranjkesh A, Razmand R, Manavizadeh N. Efficiency improvement of the GaInP/GaAs multi junction photovoltaic modules. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 27 (1) :118-120
URL: http://opsi.ir/article-1-2272-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2272-fa.html
جعفری آذین، رنجکش علیرضا، رازمند رضا، معنوی‌زاده نگین. بهبود بازدهی مبدل فوتوولتاییک دو پیوندی GaInP/GaAs. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (1) :118-120
آذین جعفری1 
، علیرضا رنجکش*1 ، رضا رازمند1 ، نگین معنوی‌زاده2
، علیرضا رنجکش*1 ، رضا رازمند1 ، نگین معنوی‌زاده2
1- آزمایشگاه خواص الکترونیکی مواد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران
2- آزمایشگاه ادوات نانوساختار الکترونیکی، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران
2- آزمایشگاه ادوات نانوساختار الکترونیکی، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران
چکیده: (1361 مشاهده)
بازدهی بالای سلول‌های خورشیدی با بهره‌گیری از فناوری چندپیوندی نظیر GaAs، تاثیر زیادی در افزایش کارایی این سلول‌ها و تمرکز بر ساخت و بهینه‌سازی پارامترهای آن‌ها داشته است. GaAs با ضریب جذب در طیف مرئی بسیار بالاتر نسبت به Si، می تواند با ویفری بسیار نازک‌تر از ویفر سیلیکون در جذب یکسان فوتون کار کند. در این مقاله با استفاده از نرم افزارSilvaco سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs بهینه‌سازی شده است. ابتدا ساختار سلول اولیه منطبق با نتایج عملی ساخت و با چگالی ناخالصی مشخص آماده‌سازی می‌شود و در ادامه با تغییر نوع ماده نیمه‌رسانا در لایه امیتر و همچنین بهینه سازی چگالی ناخالصی لایه بیس و امیتر، سلول بهینه پیشنهادی آماده می‌شود. این کار با هدف بهبود عملکرد سلول خورشیدی GaInP/GaAs بوده که نتایج بدست آمده، یک بهبود 87/10 درصدی و 35/1 درصدی به ترتیب در بازدهی و فاکتور پرشدگی و یک افزایش حدود 1 ولتی در ولتاژ مدار باز سلول را نشان داده است.
واژه‌های کلیدی: مبدل فوتوولتاییک، سلول‌خورشیدی چندپیوندی، ایندیم‌گالیم‌آرسناید، شبیه‌سازی و بهینه‌سازی پارامترها،
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
