جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC سال26 صفحات 1177-1180 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Jalalvandi S, Moravvej farshi M K, Darbari S. Effects of Substrate Phonons on the Graphene Plasmonic Absorption. ICOP & ICPET _ INPC. 2020; 26 :1177-1180
URL: http://opsi.ir/article-1-2190-fa.html
جلالوندی شراره، مروج فرشی محمدکاظم، درباری سارا. اثرات فونون‌ سطحی زیرلایه بر جذب پلاسمونی گرافن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :1177-1180

URL: http://opsi.ir/article-1-2190-fa.html


1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده:   (443 مشاهده)
در مقاله‌ی پیش‌رو روش جدیدی ارائه داده‌ایم که با استفاده از آن می‌توان تأثیر زیرلایه بر جذب پلاسمونی در گرافن را با ترکیب دو روش تقریب فاز تصادفی و معادلات انتگرالی مشاهده کرد. زیرلایه‌ی قطبی SiO2 و غیرقطبی DLC برای بررسی تغییرات جذب پلاسمونی در گستره‌ی میان-مادون قرمز در نانونوارهای گرافنی انتخاب شده‌اند. برهمکنش میان پلاسمون‌های برانگیخته شده در سطح گرافن و فونون‌های زیرلایه‌ی قطبی تغییر چشم‌گیری در پاشندگی ساختار ایجاد می‌کند و در نتیجه تاثیر بر روی جذب پلاسمونی نیز چشم‌گیر خواهد بود. در اینجا، ابتدا با استفاده از تقریب فاز تصادفی تابع دی‌الکتریک گرافن را بدست می‌آوریم. آشکار است که در حضور فونون، تابع دی‌الکتریک نسبت به زمانی که فونون حضور ندارد متفاوت است. پس از آن با مدل کردن گرافن با تابع دی‌الکتریک محاسبه شده و استفاده از روش معادلات انتگرالی جذب پلاسمونی را می‌یابیم. مطالعات ما راه را برای ساختارهای پلاسمونی مانند مدولاتورها، موجبرها و آشکارسازها و نحوه‌ی استفاده از زیرلایه‌ها روشن می‌کند.
متن کامل [PDF 271 kb]   (54 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb