برقراری ارتباط
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 824-821 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Gholipour M, Fathi D, Gordi armaki M. Theoretical analysis of Ge/Si quantum dot infrared photodetector. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :821-824
URL: http://opsi.ir/article-1-1916-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1916-fa.html
فلی پور محمد، فتحی داود، گردی ارمکی مهدی. بررسی تئوری آشکارساز مادون قرمز نقطه کوانتومی ژرمانیوم/سیلیکن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :821-824
محمد فلی پور* 
1، داود فتحی1 ، مهدی گردی ارمکی1
1، داود فتحی1 ، مهدی گردی ارمکی1
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده: (1560 مشاهده)
در این مقاله ما از یک مدل نسبتا دقیق به منظور مطالعه تئوری جریان تاریکی و نوری آشکارساز مادون قرمز نقطه کوانتومی Ge/Si که ساختار نواری متفاوتی را نسبت به نظایر آن در گروه سه - پنچ همچون InAs/GaAs دارند، استفاده کردهایم. در بررسیمان، فرض کردهایم که هر دو مکانیزم تونلزنی میدانِ کمکی و انتشار حرارتی در تعیین اندازه جریان تاریکی سهیم هستند. وابستگی جریان تاریکی آشکارسازهای نقطه کوانتومی به دما و ولتاژ، همچنین سهم تونل زنی میدانِ کمکی و انتشار حرارتی در دماها و ولتاژهای متفاوت در آشکارساز بررسی شده اند. پیش بینی می شود با توجه به نتایج بدست آمده، مقدار جریان تاریکی در نقاط کوانتومی Ge/Si نسبت به نظایر آن در گروه سه – پنچ کوچکتر باشد. در نتیجه این ساختارها از قابلیت آشکارسازی بهتری برخوردار هستند.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
