در این مطالعه تاثیر ضخامت لایه مس به عنوان لایه هدایت کننده الکتریکی و ایندیوم به عنوان لایه واسط در فیلم نازک ساندویچ شده توسط تری اکسید مولیبدن مورد بررسی قرار می­گیرد. برای دست یافتن به ساختار فوق، لایه­های نازک روی زیرلایه شیشه­ای به روش تبخیر حرارتی لایه­نشانی شده­اند. طیف عبوری در ناحیه مرئی بوسیله دستگاه طیف­سنج دو پرتویی و مقاومت الکتریکی سطحی پوشش توسط دستگاه پروپ چهارسر اندازه­گیری شده است. همچنین کیفیت و زبری سطح توسط میکروسکوپ نیروی اتمی اندازه­گیری شده است. نتایج آزمایشگاهی نشان می­دهد که بیشینه مقدار تابع شایستگی مربوط به ضخامت مس 12 نانومتر و ایندیوم 3 نانومتر است.