[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال25 صفحات 1001-1004 برگشت به فهرست نسخه ها
تاثیر ضخامت مس و ایندیوم در فیلم نازک رسانای شفاف 〖MoO〗_3/In/Cu/In/〖MoO〗_3
مسعود عبدالهی*1، عرفان کدیور1
1- دانشگاه صنعتی شیراز
چکیده:   (193 مشاهده)

در این مطالعه تاثیر ضخامت لایه مس به عنوان لایه هدایت کننده الکتریکی و ایندیوم به عنوان لایه واسط در فیلم نازک ساندویچ شده توسط تری اکسید مولیبدن مورد بررسی قرار می­گیرد. برای دست یافتن به ساختار فوق، لایه­های نازک روی زیرلایه شیشه­ای به روش تبخیر حرارتی لایه­نشانی شده­اند. طیف عبوری در ناحیه مرئی بوسیله دستگاه طیف­سنج دو پرتویی و مقاومت الکتریکی سطحی پوشش توسط دستگاه پروپ چهارسر اندازه­گیری شده است. همچنین کیفیت و زبری سطح توسط میکروسکوپ نیروی اتمی اندازه­گیری شده است. نتایج آزمایشگاهی نشان می­دهد که بیشینه مقدار تابع شایستگی مربوط به ضخامت مس 12 نانومتر و ایندیوم 3 نانومتر است.

واژه‌های کلیدی: طیف عبوری، فیلم نازک رسانای شفاف، لایه‌نشانی، لایه واسط، مقاومت الکتریکی
متن کامل [PDF 1239 kb]   (55 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abdollahi M, Kadivar E. Influence of copper and indium thicknesses in the transparent conductive thin film: 〖MoO〗_3/In/Cu/In/〖MoO〗_3. ICOP & ICPET. 2019; 25 :1001-1004
URL: http://opsi.ir/article-1-1805-fa.html

عبدالهی مسعود، کدیور عرفان. تاثیر ضخامت مس و ایندیوم در فیلم نازک رسانای شفاف 〖MoO〗_3/In/Cu/In/〖MoO〗_3. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1001-1004

URL: http://opsi.ir/article-1-1805-fa.html



جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 31 queries by YEKTAWEB 3991