[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال25 صفحات 601-604 برگشت به فهرست نسخه ها
رشد لایه‌های نازک WS2 با روش PLD و بررسی جذب غیرخطی و محدودکنندگی نوری آن‌ها
شبنم ابوطالبی*1، محمد خان زاده1، سید محمد باقر مرعشی1
1- دانشگاه ولیعصر رفسنجان
چکیده:   (319 مشاهده)
در این پژوهش ضریب جذب غیرخطی و محدودکنندگی نوری لایه­های نازک WS2  اندازه­گیری شده است. لایه­های نازک WS2 به روش لایه­نشانی لیزر پالسی رشد یافته­اند و آنالیزهای انجام شده نشان می­دهد این روش برای رشد لایه­های با کیفیت کارآمد است. از طرفی پاسخ نوری غیرخطی این لایه­ها با روش پویش Z روزنه باز با لیزر پیوسته nm  532 و توانmW  200  بررسی شده است. نتایج نشان می­دهد جذب غیرخطی لایه­های WS2 برای ضخامت­ها و توان­های مختلف از مرتبه    103 می­باشد. این لایه­ها برای کاربردهایی چون محدودکننده­های نوری مناسب بشمار می­روند.
واژه‌های کلیدی: لایه نازک، لایه نشانی لیزر پالسی، پویش Z، ضریب جذب غیرخطی، محدودکنندگی نوری
متن کامل [PDF 1280 kb]   (61 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abutalebi S, Khanzadeh M, Marashi S M B. The growth of WS2 thin films by PLD method and investigation of nonlinear absorption and optical limiting. ICOP & ICPET. 2019; 25 :601-604
URL: http://opsi.ir/article-1-1716-fa.html

ابوطالبی شبنم، خان زاده محمد، مرعشی سید محمد باقر. رشد لایه‌های نازک WS2 با روش PLD و بررسی جذب غیرخطی و محدودکنندگی نوری آن‌ها. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1397; 25 () :601-604

URL: http://opsi.ir/article-1-1716-fa.html



جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 31 queries by YEKTAWEB 3991