حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 148-145 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Torkaman P, Darbari S, Mohammad Zamani M J. Simulation and design of a photoconductive self-bias antenna based on GaN with dis-similar schottky contacts. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :145-148
URL: http://opsi.ir/article-1-1626-fa.html
ترکمان پویا، درباری کوزه کنان سارا، محمد زمانی محمد جواد. طراحی و شبیه سازی آنتن نوررسانا تراهرتز خودبایاس بر اساس GaN، با استفاده از سد شاتکی نامتقارن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :145-148

URL: http://opsi.ir/article-1-1626-fa.html


1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده:   (2062 مشاهده)
در این منبع تراهرتز  با استفاده از دو اتصال شاتکی نامتقارن بر روی  لایه ای از جنس بلور GaN، میدان داخلی لازم را ایجاد کرده ایم. با این کار نیاز به بایاس خارجی حذف می­گردد، که یکی از مزایای این ساختار است. سپس با تابش یک پالس زمانی گوسی باریک با طول موج nm 350  بر روی نیمه هادی باعث تولید حامل­ها درون منطقه فعال می­شویم. تغییرات زمانی سریع پالس ورودی عامل تولید فرکانس های بالا در جریان تراهرتز تولیدی می­باشد. این جریان متغیر با زمان باعث تولید و انتشار میدان تراهرتز به سمت کف افزاره می­گردد. در این مقاله، شبیه سازی‌ها دو بعدی و به روش عنصر متناهی انجام می‌شود.
 
متن کامل [PDF 1001 kb]   (655 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb