اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 538 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21853245 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 33235 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 80-77 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Goodarzi R, Hajiesmaeilbaigi F, Bostandoost E, Razaghi H, Motamedi A. Fabrication of black silicon by using femtosecond laser pulses at various fluencies. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :77-80
URL: http://opsi.ir/article-1-1511-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1511-fa.html
گودرزی رضا، حاج اسماعیل بیگی فرشته، بستان دوست افتخار، رزاقی حسین، معتمدی اسما. ایجاد سیلیکون سیاه با استفاده از تپهای لیزری فمتوثانیه با شار انرژی‌های مختلف. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :77-80
رضا گودرزی*1 
، فرشته حاج اسماعیل بیگی1 ، افتخار بستان دوست1 ، حسین رزاقی1 ، اسما معتمدی1
، فرشته حاج اسماعیل بیگی1 ، افتخار بستان دوست1 ، حسین رزاقی1 ، اسما معتمدی1
1- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای
چکیده: (2592 مشاهده)
در این پژوهش با استفاده از تپهای لیزر فمتوثانیه، سطح ویفر سیلیکون تابش داده شده است. شار انرژی تپهای لیزری به عنوان یک مشخصهی مهم مورد مطالعه قرار گرفته و به ازای سه شار انرژی 1، 3 و 9 کیلوژول بر مترمربع، بیناب بازتابی لیزر از سطح ویفر سیلیکون پس از 1 دقیقه تابشدهی ثبت شده است. نتایج نشان میدهد که در شار انرژی لیزری پایین ، کندوسوز بهطور مؤثر رخ نداده و میزان بازتاب از سطح تغییری نکرده است. کندوسوز لیزری در شار انرژی لیزر مربوط به آستانهی تشکیل پلاسمای یونی رخ میدهد که در نتیجهی آن ساختارهای میخه مانند روی سطح سیلیکون تشکیل میشوند. تغییر ساختارروی سطح منجر به کاهش میزان بازتاب از آن میشود. در نتیجه، با تابشدهی لیزری سطح ویفر سیلیکون در محدوده انرژی بیش از شار آستانه، سیلیکون سیاه ایجاد شده که به دلیل جذب بالای آن قابلیت بهبود فناوری ساخت سلولهای خورشیدی را دارد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
