اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 429 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21904200 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 44908 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 80-77 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Goodarzi R, Hajiesmaeilbaigi F, Bostandoost E, Razaghi H, Motamedi A. Fabrication of black silicon by using femtosecond laser pulses at various fluencies. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :77-80
URL: http://opsi.ir/article-1-1511-fa.html
گودرزی رضا، حاج اسماعیل بیگی فرشته، بستان دوست افتخار، رزاقی حسین، معتمدی اسما. ایجاد سیلیکون سیاه با استفاده از تپ‌های لیزری فمتوثانیه با شار انرژی‌های مختلف. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :77-80

URL: http://opsi.ir/article-1-1511-fa.html


1- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای
چکیده:   (2602 مشاهده)
در این پژوهش با استفاده از تپ­های لیزر فمتوثانیه، سطح ویفر سیلیکون تابش داده شده است. شار انرژی تپ­های لیزری به عنوان یک مشخصه­ی مهم مورد مطالعه قرار گرفته و به ازای سه شار انرژی 1، 3 و 9 کیلوژول بر مترمربع، بیناب بازتابی لیزر از سطح ویفر سیلیکون پس از 1 دقیقه تابش­دهی ثبت شده است. نتایج نشان می­دهد که در شار انرژی لیزری پایین ، کندوسوز به­طور مؤثر رخ نداده و میزان بازتاب از سطح تغییری نکرده است. کندوسوز لیزری در شار انرژی لیزر مربوط به آستانه­ی تشکیل پلاسمای یونی رخ می­دهد که در نتیجه­ی آن ساختارهای میخه مانند روی سطح سیلیکون تشکیل می­شوند. تغییر ساختارروی سطح منجر به کاهش میزان بازتاب از آن می­شود. در نتیجه، با تابش­دهی لیزری سطح ویفر سیلیکون در محدوده انرژی بیش از شار آستانه، سیلیکون سیاه ایجاد شده که به دلیل جذب بالای آن  قابلیت بهبود فناوری ساخت سلول­های خورشیدی را دارد.
متن کامل [PDF 756 kb]   (809 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb