[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال24 صفحات 149-152 برگشت به فهرست نسخه ها
تاثیر ابعاد بر فرآیند تکثیر اکسیتونی در نانوبلور PbSe
مهدی گردی ارمکی* 1، محمدکاظم مروج فرشی1
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده:   (63 مشاهده)
 یکی از روش ها برای افزایش بازده نوری افزاره های سلول خورشیدی مبتنی بر نانو ساختار، استفاده از فرآیند تکثیر اکسیتونی (MEG) می باشد که در آن تحت شرایط معینی به ازای جذب یک فوتون چندین اکسیتون ایجاد می شود. در مقاله حاضر با روش بس ذره ای EOM-CCSD به بررسی تاثیر ابعاد نانوساختار صفربُعدی PbSe بر فرآیند تکثیر اکسیتونی پرداخته ایم. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که تغییر ابعاد تاثیر کمی بر آستانه MEG داشته، اما می تواند باعث تقویت طیف جذب نوری در ترازهای با انرژی زیاد شود.
واژه‌های کلیدی: تکثیر اکسیتونی، نانوبلور PbSe
متن کامل [PDF 802 kb]   (39 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

کد امنیتی را در کادر بنویسید >


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Gordi-Armaki M, Moravvej-Farshi M K. Size Effects on the Multiple Exciton Generation in PbSe Nanocrystals. ICOP & ICPET. 2018; 24 :149-152
URL: http://opsi.ir/article-1-1495-fa.html

گردی ارمکی مهدی، مروج فرشی محمدکاظم. تاثیر ابعاد بر فرآیند تکثیر اکسیتونی در نانوبلور PbSe. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1397; 24 () :149-152

URL: http://opsi.ir/article-1-1495-fa.html



جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3705