[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال23 صفحات 1113-1116 برگشت به فهرست نسخه ها
Technical Characteristics Improvement of Multiple Quantum Well Semiconductor Slow Light Devices Based on Excitonic Population Oscillations
Saeed Abdolhosseini* 1، Hassan Kaatuzian1، Bahram Choupanzadeh1، Reza Kohandani1
1- Amirkabir University of Technology
چکیده:   (906 مشاهده)

This article indicates the effects of physical dimensions variations on optical properties of GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MQW) slow light devices based on coherent population oscillations (CPO) method. These physical parameters include, quantum well size and number. Bloch equations have been used to analyze and simulate the device with different parameters. This paper offers several methods for tuning the central frequency and slow down factor (SDF) of the slow light device. Based on these proposed approaches, we could improve optical properties of MQW slow light devices. According to simulation results, the maximum value of SDF can be achieved in a range of 3×105 with variations of physical parameters.

واژه‌های کلیدی: quantum wells number، quantum wells size، multiple quantum well، slow light device، coherent population oscillations.
متن کامل [PDF 591 kb]   (240 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abdolhosseini S, Kaatuzian H, Choupanzadeh B, Kohandani R. Technical Characteristics Improvement of Multiple Quantum Well Semiconductor Slow Light Devices Based on Excitonic Population Oscillations. ICOP & ICPET. 2017; 23 :1113-1116
URL: http://opsi.ir/article-1-1214-fa.html

Abdolhosseini Saeed، Kaatuzian Hassan، Choupanzadeh Bahram، Kohandani Reza. Technical Characteristics Improvement of Multiple Quantum Well Semiconductor Slow Light Devices Based on Excitonic Population Oscillations. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1395; 23 () :1113-1116

URL: http://opsi.ir/article-1-1214-fa.html



جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781