اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 1 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 289 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21788614 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12373 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 1116-1113 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abdolhosseini S, Kaatuzian H, Choupanzadeh B, Kohandani R. Technical Characteristics Improvement of Multiple Quantum Well Semiconductor Slow Light Devices Based on Excitonic Population Oscillations. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2017; 23 :1113-1116
URL: http://opsi.ir/article-1-1214-fa.html
Abdolhosseini Saeed، Kaatuzian Hassan، Choupanzadeh Bahram، Kohandani Reza. Technical Characteristics Improvement of Multiple Quantum Well Semiconductor Slow Light Devices Based on Excitonic Population Oscillations. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1395; 23 () :1113-1116

URL: http://opsi.ir/article-1-1214-fa.html


1- Amirkabir University of Technology
چکیده:   (3047 مشاهده)

This article indicates the effects of physical dimensions variations on optical properties of GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MQW) slow light devices based on coherent population oscillations (CPO) method. These physical parameters include, quantum well size and number. Bloch equations have been used to analyze and simulate the device with different parameters. This paper offers several methods for tuning the central frequency and slow down factor (SDF) of the slow light device. Based on these proposed approaches, we could improve optical properties of MQW slow light devices. According to simulation results, the maximum value of SDF can be achieved in a range of 3×105 with variations of physical parameters.

متن کامل [PDF 591 kb]   (855 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb