حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 1220-1217 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Khorami A A, Ghahramani M, Riahi A, Usefvand H R. Effect of the contact layer thickness on the loss and confinement factor in terahertz waveguides. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :1217-1220
URL: http://opsi.ir/article-1-821-fa.html
خرمی علی اصغر، قهرمانی محسن، ریاحی علی، یوسف وند حسین رضا. اثر ضخامت لایه ی اتصال روی اتلاف و ضریب محصورشدگی در موجبرهای تراهرتزی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :1217-1220

URL: http://opsi.ir/article-1-821-fa.html


چکیده:   (2900 مشاهده)
تجربه نشان می دهد که لایه اتصال یکی از پارامترهایی است که عملکرد موجبرهای تراهرتزی را متاثر می کند. در این مقاله با استفاده از معادله موج ، تلفات موجبری و ضریب محصورشدگی نوری در موجبرهای تراهرتزی محاسبه شده اند. نتایج بدست آمده از این مقاله نشان می دهند که می توان با تغییر ضخامت لایه اتصال، تلفات موجبری و ضریب محصورشدگی نوری را بهبود بخشید. همچنین موجبر فلز- فلز به دلیل ضریب محصورشدگی نوری بالاتر و تلفات موجبری کمتر، عملکرد بهتری نسبت به موجبر پلاسمون سطحی نیمه عایق دارد. نتایج تجربی و نتایج حاصل از شبیه سازی در این مقاله از انطباق بالایی برخوردارند.
متن کامل [PDF 521 kb]   (1041 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb