برقراری ارتباط
سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 649-646 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Zarei A, Alimohamadi M. Physical Vapor Deposition of MoS2 Nano Structures in the Different Pressures by COMSOL Multiphysics. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :646-649
URL: http://opsi.ir/article-1-2448-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2448-fa.html
زارعی آرزو، علیمحمدی مسعود. انباشت بخار فیزیکی نانوساختارهای مولیبدن دیسولفید در فشارهای متفاوت با نرمافزار کامسول. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :646-649
آرزو زارعی1 ، مسعود علیمحمدی* 2
1- دانشکده فیزیک و مهندسی هستهای، دانشگاه صنعتی شاهرود، سمنان، ایران
2- گروه فیزیک، دانشگاه فرهنگیان، تهران، ایران
2- گروه فیزیک، دانشگاه فرهنگیان، تهران، ایران
چکیده: (749 مشاهده)
شبیهسازی نانوساختارهای MoS2 با روش انباشت تبخیر فیزیکی و با استفاده از نرمافزار کامسول انجام شدهاست. هندسه دو بعدی با تقارن محوری برای بهینهسازی زمان شبیهسازی ترسیم گردید. در این شبیهسازی، با تغییر فشار، ضخامت لایههای MoS2 اندازهگیری شد و مقدار بهینه فشارگاز آرگون در دمای ثابت برای بهوجود آمدن تکلایههای MoS2 بهدست آمد. نرخ لایهنشانی بر روی زیرلایه و دیواره اتاقک خلاء بهدست آمد. همچنین در فشار بهینه شار مولکولی نانوذرات MoS2 بر روی زیرلایه نیز محاسبه شد. این لایهها درساخت ابزارهای مرتبط به حوزه نانوالکترونیک و اپتوالکترونیک کاربرد بسیاری دارند.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |