برقراری ارتباط
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 32-29 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Borumandi R, Zarifkar A, Miri M. Design and Simulation of Graphene-Based Plasmonic Infrared Logic Gates with Hexagonal Boron Nitride Substrate. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :29-32
URL: http://opsi.ir/article-1-1513-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1513-fa.html
برومندی رحیم، ظریفکار عباس، میری مهدی. طراحی و شبیه سازی گیتهای منطقی گرافن پلازمونیکی مادون قرمز با زیرلایه نیترید بور شش گوشه. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :29-32
رحیم برومندی* 
1، عباس ظریفکار1 ، مهدی میری1
1، عباس ظریفکار1 ، مهدی میری1
1- دانشگاه شیراز
چکیده: (2900 مشاهده)
در این مقاله به طراحی و شبیه سازی گیتهای گرافن پلازمونیکی AND وOR با زیرلایه نیترید بور شش گوشه پرداخته شده است. در این گیتها پلازمون پلازیتونهای سطحی به وسیله موج ورودی با فرکانس 40THz با پلاریزاسیون TM در حالتی که پتانسیل شیمیایی نوارهای گرافنی در موجبر حدود 0.3ev تنظیم شده است، تحریک شده اند. استفاده از نیترید بور شش گوشه به جای دی اکسید سیلیکون به عنوان زیرلایه، تلفات کمتر پلازمون پلاریتونهای سطحی را نتیجه میکند. نتایج شبیه سازی نشان میدهند که نسبت تمایز برای گیت هایAND و OR با زیرلایه دی اکسید سیلیکون به ترتیب برابر 28dB و 25dB و تلفات الحاقی برابر 14dB و 21dB میباشد در حالی که نسبت تمایز گیت های AND وOR پیشنهادی با زیرلایه نیترید بور شش گوشه به ترتیب برابر 34dBو29dB و تلفات الحاقی برابر 9.7dBو 4.3dB است. نتایج بدست آمده حاکی از بهبود نسبت تمایز و تلفات الحاقی و در عین حال ابعاد کوچکتر برای گیتهای منطقی مورد نظر است.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
