جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC سال24 صفحات 29-32 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Borumandi R, Zarifkar A, Miri M. Design and Simulation of Graphene-Based Plasmonic Infrared Logic Gates with Hexagonal Boron Nitride Substrate. ICOP & ICPET _ INPC. 2018; 24 :29-32
URL: http://opsi.ir/article-1-1513-fa.html
برومندی رحیم، ظریفکار عباس، میری مهدی. طراحی و شبیه سازی گیت‌های منطقی گرافن پلازمونیکی مادون قرمز با زیرلایه نیترید بور شش گوشه. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :29-32

URL: http://opsi.ir/article-1-1513-fa.html


1- دانشگاه شیراز
چکیده:   (1934 مشاهده)
در این مقاله به طراحی و شبیه سازی گیت­های گرافن پلازمونیکی AND وOR  با زیرلایه نیترید بور شش گوشه پرداخته شده است. در این گیت­ها پلازمون پلازیتون­های سطحی به وسیله موج ورودی با فرکانس 40THz با پلاریزاسیون TM  در حالتی که پتانسیل شیمیایی نوارهای گرافنی در موجبر حدود 0.3ev تنظیم شده است، تحریک شده اند. استفاده از نیترید بور شش گوشه به جای دی اکسید سیلیکون به عنوان زیرلایه، تلفات کمتر پلازمون پلاریتون­های سطحی را نتیجه می­کند. نتایج شبیه سازی نشان می­دهند که نسبت تمایز برای گیت هایAND و OR با زیرلایه دی اکسید سیلیکون به ترتیب برابر 28dB و 25dB و تلفات الحاقی برابر 14dB و 21dB می­باشد در حالی که نسبت تمایز گیت های AND وOR  پیشنهادی با زیرلایه نیترید بور شش گوشه به ترتیب برابر 34dBو29dB  و  تلفات الحاقی برابر 9.7dBو  4.3dB است.  نتایج بدست آمده حاکی از بهبود نسبت تمایز و تلفات الحاقی و در عین حال ابعاد کوچکتر برای گیتهای منطقی مورد نظر است.
متن کامل [PDF 661 kb]   (361 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb