[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال22 صفحات 676-679 برگشت به فهرست نسخه ها
تصحیح حاصل از حضور محیط مغناطوالکتریک بر پتانسیل برهم‌کنش وان‌دروالس دو مولکول دست‌سان
حسن صفری* 1، محمدجواد فقیهی1
1- استادیار
چکیده:   (963 مشاهده)

رابطه‌ی پتانسیل برهم‌کنش بین دو مولکول دست‌سان که پیش‌تر در محیطی تهی از ماده مغناطوالکتریکی داده شده بود، در کار حاضر، با به‌کارگیری نظریه‌ی اختلال مرتبه‌ی چهارم، به حالتی که دو اتم در حضور آرایش دلخواهی از مواد مغناطوالکتریک قرار دارند، تعمیم داده می‌شود. ویژگی‌های هندسی و مغناطوالکتریکی محیط مادی با تابع گرین در فرمول گنجانده می‌شوند. نشان داده می‌شود که در حالت خاصی که دو اتم در فضای تهی قرار دارند، فرمول به دست آمده با روابط پیشین سازگار است.

واژه‌های کلیدی: اختلال مرتبه چهارم، پتانسیل وان‌دروالس، تابع گرین، قطبش‌پذیری متقاطع، مولکول دست‌سان
متن کامل [PDF 223 kb]   (371 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Safari H, Faghihi M J. Correction to the van der Waals Interaction Potential between Chiral Molecules due to the Presence of Magnetoeletric Environment. ICOP & ICPET. 2016; 22 :676-679
URL: http://opsi.ir/article-1-978-fa.html

صفری حسن، فقیهی محمدجواد. تصحیح حاصل از حضور محیط مغناطوالکتریک بر پتانسیل برهم‌کنش وان‌دروالس دو مولکول دست‌سان. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1394; 22 () :676-679

URL: http://opsi.ir/article-1-978-fa.html



جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3731