رابطه‌ی پتانسیل برهم‌کنش بین دو مولکول دست‌سان که پیش‌تر در محیطی تهی از ماده مغناطوالکتریکی داده شده بود، در کار حاضر، با به‌کارگیری نظریه‌ی اختلال مرتبه‌ی چهارم، به حالتی که دو اتم در حضور آرایش دلخواهی از مواد مغناطوالکتریک قرار دارند، تعمیم داده می‌شود. ویژگی‌های هندسی و مغناطوالکتریکی محیط مادی با تابع گرین در فرمول گنجانده می‌شوند. نشان داده می‌شود که در حالت خاصی که دو اتم در فضای تهی قرار دارند، فرمول به دست آمده با روابط پیشین سازگار است.