در این پژوهش، برای لایه نشانی پروسکایت، از روش لایه نشانی دومرحله ای استفاده شد. در مرحله ی اول، محلول سرب یدید به روش لایه-نشانی چرخشی بر روی لایه ی نانوساختار تیتانیوم دی اکسید قرار گرفت. در مرحله ی دوم، با روش لایه نشانی غوطه وری، محلول متیل آمونیوم یدید بر روی سرب یدید نشانده شد. نتیجه ی این دو مرحله لایه نشانی، قرار گرفتن یک لایه ی پروسکایت CH3NH3PbI3 بر روی لایه ی متخلخل TiO2 بود. برای رسیدن به یک سلول پایه ی بهینه، در مرحله ی دوم لایه نشانی، غوطه وری برای بازه های زمانی مختلفی انجام شد. مشخصه یابی های فوتوولتائیکی سلول، از قبیل بازده تبدیل توان، ضریب پرشدگی، ولتاژ مدار باز، چگالی جریان مدار کوتاه و... انجام گرفت و نتایج با یکدیگر مقایسه گردید تا مناسب ترین مدت زمان غوطه وری مشخص شود.