جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET سال22 صفحات 742-745 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rahnamanic A, Behjat A, Sadeghzadeh M A, Mirjalili F, Sheikhi H. Investigation on Photovoltaic Properties of Hole-Conductor-Free Perovskite Solar Cells: Temporal Effect on Perovskite Formation Process in Dip-Coating Scheme. ICOP & ICPET. 2016; 22 :742-745
URL: http://opsi.ir/article-1-954-fa.html
رهنمانیک علیرضا، بهجت عباس، صادق زاده محمدعلی، میرجلیلی فاطمه، شیخی حسین. بررسی مشخصه های فتوولتائیک سلول های خورشیدی پروسکایتی بدون رساننده ی حفره: اثر زمان در فرآیند تشکیل پروسکایت بوسیله لایه نشانی غوطه وری . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1394; 22 () :742-745

URL: http://opsi.ir/article-1-954-fa.html


1- دانشگاه یزد
چکیده:   (3490 مشاهده)

در این پژوهش، برای لایه نشانی پروسکایت، از روش لایه نشانی دومرحله ای استفاده شد. در مرحله ی اول، محلول سرب یدید به روش لایه-نشانی چرخشی بر روی لایه ی نانوساختار تیتانیوم دی اکسید قرار گرفت. در مرحله ی دوم، با روش لایه نشانی غوطه وری، محلول متیل آمونیوم یدید بر روی سرب یدید نشانده شد. نتیجه ی این دو مرحله لایه نشانی، قرار گرفتن یک لایه ی پروسکایت CH3NH3PbI3 بر روی لایه ی متخلخل TiO2 بود. برای رسیدن به یک سلول پایه ی بهینه، در مرحله ی دوم لایه نشانی، غوطه وری برای بازه های زمانی مختلفی انجام شد. مشخصه یابی های فوتوولتائیکی سلول، از قبیل بازده تبدیل توان، ضریب پرشدگی، ولتاژ مدار باز، چگالی جریان مدار کوتاه و... انجام گرفت و نتایج با یکدیگر مقایسه گردید تا مناسب ترین مدت زمان غوطه وری مشخص شود.

متن کامل [PDF 335 kb]   (3512 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb